Masih terlalu pagi untuk mengatakan bahwa DRAM (dynamic random access memory) sedang menuju kematian, tetapi tanda-tandanya sudah mulai jelas. Begitu tulis analis semikonduktor senior Malcom Penn di buletin chip Future Horizon.

Penn mengatakan,” Semua kemajuan baru ada di berbagai tahap pengembangan dan akan perlu beberapa waktu sebelum banyak di antaranya akan bisa menantang memori mainstream yang ada untuk slot desain di PC dan produk-produk konsumen.”

Menurut Penn, molekul, termasuk yang besar, berukuran kecil jika dibandingkan arsitektur sel memori saat ini. “Penambahan tegangan listrik melalui elektron dapat membuat molekul-molekul bermuatan negatif dan tidak adanya elektron bisa memicu molekul bermuatan positif.”

Namun sirkuit koneksi biasa menyajikan masalah. Molekul-molekul yang disebut Oligo Phenlylene Ethynylene Molecules (OPEs) dapat melakukan switch tetapi switching tersebut belum bisa diprediksi.

Penelitian tetang memori molekular tipe ini sedang dilangsungkan di lab-lab akademisi atau di lab perusahaan besar, kata Penn. HP, Penn State University dan ZettaCore secara resmi sudah mengumumkan sedang mengatasi masalah tersebut. Sedangkan NASA mendukung riset untuk memori komputer non volatile. Sementara itu Rice University mengerjakan memori graphene yang ukuran selnya bisa mendekati 10 nanometer

Menurut Future Horizons, Unity Semiconductor akan memproduksi passive re-writeable cross point memory array yang tidak membutuhkan transistor untuk sebuah sel memori dan akan mengantarkan produk 64 gigabit ke pasar pada akhir tahun depan. Memori ini adalah non volatile, multi-layer, multi-cell dengan kecepatan tulis lima kali lebih cepat dibandingkan NAND mainstream.

WIEK
Sumber : TG Daily